【摘 要】
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鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900V大功率MOSFET器件。以VDMOS器件为例分析其基本结构、工作原理和主要参数,通过理论计算制定产品的外延层及栅氧等相关工艺参数,并对元胞尺寸进行了优化设计。终端结构采用场限环与场板相结合的技术,并进行模拟仿真。仿真结果符合预期,并依此给出最终设计版图。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所,南京微盟电子有限公司
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鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900V大功率MOSFET器件。以VDMOS器件为例分析其基本结构、工作原理和主要参数,通过理论计算制定产品的外延层及栅氧等相关工艺参数,并对元胞尺寸进行了优化设计。终端结构采用场限环与场板相结合的技术,并进行模拟仿真。仿真结果符合预期,并依此给出最终设计版图。
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