论文部分内容阅读
设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟。采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试。模拟和测试结果均表明。该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度。