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高阈值STN产品的条状畴和块状畴分析
高阈值STN产品的条状畴和块状畴分析
来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huxiaoshenshan2010
【摘 要】
:
通过对STN产品的条状畴和块状畴的成因及其影响因素的分析,用实验证明了低预倾角、大d/p值、高扭曲角是导致产生条状畴的主要因素,且液晶材料的手性剂浓度越高也越容易产生条状
【作 者】
:
杨洪宝
荆建新
昌永龙
潘书山
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第五十五研究所,中国人民解放军驻七七二厂军事代表室
【出 处】
:
光电子技术
【发表日期】
:
2009年4期
【关键词】
:
超扭曲向列相液晶
条状畴
块状畴
高阈值
STN
bar domain
lump domain
high threshold voltage
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通过对STN产品的条状畴和块状畴的成因及其影响因素的分析,用实验证明了低预倾角、大d/p值、高扭曲角是导致产生条状畴的主要因素,且液晶材料的手性剂浓度越高也越容易产生条状畴。
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