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对四探针测试半导体薄层电阻中二维电流场的电势分布采用有限元法（ＦＥＭ）数值计算，并提出了计算模型。对几种常用的测试结构进行计算其电势分布证明了有限元方法的正确性。与以前所采用的镜像源法和图形变换法相比，该方法具有对任意形状的样品和任意放置探针具有同样简单和计算通用的特点。
半导体四探针技术中二维电流场电势分布有限元分析
【摘 要】
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对四探针测试半导体薄层电阻中二维电流场的电势分布采用有限元法（ＦＥＭ）数值计算，并提出了计算模型。对几种常用的测试结构进行计算其电势分布证明了有限元方法的正确性。与以前所采
【机 构】
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云南师范大学物理系,河北工业大学电子工程系
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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1998年2期
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