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采用Material Studio／CASTEP研究不同压强下TATB晶体结构表明：(1)当外压在0．1～10GPa时，TATB晶胞主要沿c轴方向变动；且晶体的能带结构及TATB的分子结构变化不大；(2)在几十个GPa的条件下，TATB可压缩至密度超过2．5g／cm^3，而能量升高不多；(3)在0．1～100GPa条件下，TATB晶体为半导体，而过渡到导体的压力大概为几百个GPa，此时TATB分子结构已被破坏。