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采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2，Y2O3缓冲层。Ar／H2气氛下预沉积的引入，有效地抑制了基底的氧化。同时，为保证薄膜的外延取向，预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系。对比CeO2，Y2O3的生长条件，发现CeO2的外延生长区间比Y2O3宽，Y2O3的生长对温度、气压等条件更为敏感。最终制备的CeO2缓冲层是纯的（100）取向，其平面内Ф扫描半高宽（FWHM）为8．5°；而Y2O3存在两种平面取向，一种是Y2O3（110）｜｜Ni（100），另一种是Y2O3（100