ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响

来源 :东北大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：flfi2003

【摘要】

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主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系.得出ZAO薄膜中成分是均匀的,

【作者】

：

陆峰徐成海孙超闻立时

【机构】

：

东北大学,中国科学院

【出处】

：

东北大学学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

透明导电纳米薄膜 AL元素 ZAO薄膜 Al质量分数 EDS XRD 电阻率透射率氧化锌薄膜光性能电性能铝元素 ZAO film the conte

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主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系.得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大.制备的薄膜最低电阻率为4.5×10-4Ω.cm,可见光透射率达到80%以上.

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