论文部分内容阅读
法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术，据称能将芯片设计的电子迁移率提升80％。