【摘 要】
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采用薄穿通(LPT)垂直结构的载流子贮存挖槽栅双极型晶体管(CSTBT)是一种新型的功率器件。与IGBT相比,其结构得到了改进,具有功耗更低、更耐用等优点,是工业功率变流应用最佳
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采用薄穿通(LPT)垂直结构的载流子贮存挖槽栅双极型晶体管(CSTBT)是一种新型的功率器件。与IGBT相比,其结构得到了改进,具有功耗更低、更耐用等优点,是工业功率变流应用最佳的功率器件。
Carrier-storage trench-gated bipolar transistor (CSTBT) using a thin through-circuit (LPT) vertical structure is a new type of power device. Compared with the IGBT, its structure has been improved, with lower power consumption, more durable, etc., is the best power inverter industrial power devices.
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