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用X光激发电子能谱（XPS）分析技术对Si3N4／SiO2／Si双界面系统经6O^Co电离辐照前后处于纯Si态的一级等离激元（定位于B．E．116．95eV）、处于SiO2态的一级等离激元（定位于B．E．122．OeV）和处于Si3N4态的一级等离激元（定位于B．E．127．OeV）进行了研究。实验结果显示：存在一个由Si3N4态等离激元和SiO2态等离激元构成的界面及由SiO2态等离激元和Si态等离激元构成的界面，在电离辐射的作用下，SiO2态-Si3N4态等离激元界面区中心向Si3N4态表面方向推移，