基于半导体开关的高重频LTD

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脉冲功率的工业应用需要紧凑、灵活、稳定的脉冲功率源。高重频LTD是以此为目的发展的新技术,它所代表的脉冲叠加法与传统的脉冲压缩法存在很大的差异。本文介绍基于半导体开关的高重频LTD的基本方法和典型的实验结果。该LTD系统由30个模块构成,每个模块采用24个MOSFET作为开关。实验结果表明:该LTD系统可以产生最高29 k V的输出电压和240 A的输出电流;脉冲宽度在50~170 ns范围内任意可调;控制模块的开关顺序可以方便地组合出不同的波形。LTD的模块化趋势和它的输出波形可调性是其主要优势,而在能量效率上有待进一步改善。
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