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采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜，并采用固态硒化法进行处理，获得了CIAS吸收层薄膜。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。着重分析了CIA前驱膜中的Al含量对CIAS吸收层薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明，通过调节CIA前驱膜的Al含量可制备得到Cu／（In＋Al）原子比接近1，且Al／（In＋Al）比例可调的成分分布均匀的CIAS薄膜。CIAS薄膜由Cu（In1-xAlx）Se2固溶体相组成，Al主要是以替代In的固溶形式存在。