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介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃～85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。
一种超高速八位移位寄存器
【摘 要】
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介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,
【机 构】
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电子工业部第24研究所
【出 处】
：
微电子学
【发表日期】
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1993年3期
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