【摘 要】
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基于0.25μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款工作在13~16 GHz的双相压控衰减器。电路采用平衡式结构,以获得小的输入、输出回波损耗;衰减器部分采用T型衰减结构和
【基金项目】
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陕西省科技厅重点项目(2017ZDXM-GY-004)
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基于0.25μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款工作在13~16 GHz的双相压控衰减器。电路采用平衡式结构,以获得小的输入、输出回波损耗;衰减器部分采用T型衰减结构和π型衰减结构级联的方式;并联支路采用多栅开关管串联的形式,减小寄生,提高线性度。仿真结果表明,所设计的压控衰减器在工作频带(13~16 GHz)内,输入、输出回波损耗小于-14 dB,插入损耗为-12. 5 dB,衰减范围达到20 dB以上,输入1 dB压缩点大于30 dBm,芯片尺寸为1. 8 mm×1. 2 mm。
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