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报道了以AlCl3和Mg3N2为反应物,在500℃条件下,用简易的设备,合成六方相AlN纳米材料.样品的XRD和XPS图谱表明,实验得到的AlN样品是纯的六方相AlN,其中的杂质相含量均小于仪器的探测灵敏度.TEM图表明,AlN样品呈多孔网络状结构,网络的骨架大小在10～20nm之间.对AlN样品的光学性能的研究表明,AlN样品的禁带宽度值约为6.12eV;红外吸收谱以680cm-1为中心形成一个很宽的红外吸收带;其拉曼散射峰较AlN薄膜和AlN单晶向低波数方向移动.