【摘 要】
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利用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法计算了Mg2Sn的能带结构、能态密度、差分电荷密度和介电函数。为了考虑Sn中5p轨道的强电子关联效应,我们采用GGA + U的方法计算Mg2Sn
【机 构】
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天津工业大学理学院,北京大学物理学院
【基金项目】
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国家自然基金项目(11347008)的资助
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利用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法计算了Mg2Sn的能带结构、能态密度、差分电荷密度和介电函数。为了考虑Sn中5p轨道的强电子关联效应,我们采用GGA + U的方法计算Mg2Sn的电学性质。当有效U值为0 eV时,Mg2Sn带隙为负,与实验值相差较大。当有效U值为1.88eV时,间接带隙为0.30 eV,与实验值吻合较好。差分电荷密度的计算表明Mg2Sn中Sn-Sn键相对于Sn-Mg键有着较强的共价性,符合实际情况,介电函数的计算结果也与实验结果基本一致。这些证实p轨道占位库仑排斥对Mg2Sn的电学性
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