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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜。利用x射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性。结果表明：与单层ITO薄膜相比，具有厚度16nmITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30％，薄膜的电阻率达到2．65×10-4Ω·cm，可见光范围内的平均透过率为91．5％。