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为了提升C/C复合材料表面SiC涂层的韧性及其与基体的结合强度，以三氯甲基硅烷为前驱体，采用常压化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC纳米线，研究了不同合成温度对纳米线的物相、形貌和结构的影响。借助XRD、SEM、TEM和EDS对所制备的纳米线进行物相、形貌和结构的表征，结果表明1300 ℃下可制备得到较为纯净的SiC纳米线，形状平直，表面光滑，取向随机呈网状分布，直径大约为100~160 nm，长度可达几百微米；随着合成温度的不断升高，纳米线的物相逐渐由β-SiC和Si双相转变为单一的β-SiC