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设计了一台以增强型氮化镓（eGaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）为开关器件的450WDC／DC模块电源。主功率电路采用同步整流Buck＋软开关推挽的两级结构。针对eGaNHEMT应用中的驱动回路寄生电感的影响和驱动印制电路板（PCB）设计改善、开关管死区时间对软开关效果的影响和优化、eGaNHEMT主电路多层PCB布局等关键设计进行了介绍。最后。搭建八层板结构的样机，实测效率可达95％，证明了设计的合理性。