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摘要：对日盲AIGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟，并将仿真结果与实测数据进行了比较分析，发现差异来自AIGaN材料的带尾效应。利用无P型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数，并使用带尾吸收模型对测得的光吸收系数进行拟合，得到了AIGaN材料吸收带尾特征参数％、Eurbach分别为2．2X10^4cm2、0．027eV，补充和修正了AIGaN材料带内外光吸收模型，经验证使用该模型的仿真结果与实测结果具有很好的一致性。