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利用嵌入原子簇模型结合F心的类H离子波函数，研究了α－Al2O3晶体中F3聚集型色心存时，晶体的能带结构、态密度、Nykkuken电荷布居的变化，讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明，由于F3聚集心的存在，在α－Al2O3晶体的禁逞中引入了1个单能级和1个双重简并色心能级，产生了一个3.54eV的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。与中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较，实验测得的0.556um(3.483eV)处的吸收峰是由于F3聚集心的电子吸收跃迁所引起的，同时发现F3聚集心的格点处的电荷布居比