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随着MOS器件工艺尺寸的不断减小，其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频／模拟电路的工作要求。然而，随着沟道长度的变短，沟道噪声对电路的贡献增大，噪声是电路关注的主要性能之一。由于二级效应，经典的长沟道噪声模型不再精确。本文总结了沟道热噪声产生的机理，以及短沟道载流子有效迁移率的计算。系统详细地描述了近年来基于深亚微米短沟道MOS器件的热噪声的模型。在文章的最后，介绍了沟道噪声的仿真和测试方法。