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用真空热蒸发技术,监测被镀器件的自发辐射,在GaAs半导体激光器端面上成功地制备了高效减反射膜。用Kaminow等人提出的间接方法测得其剩余反射率为5×10<sup>-4</sup>。
半导体激光器减反射膜的制备及其反射率的测量
【摘 要】
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用真空热蒸发技术,监测被镀器件的自发辐射,在GaAs半导体激光器端面上成功地制备了高效减反射膜。用Kaminow等人提出的间接方法测得其剩余反射率为5×10<sup>-4</sup>。
【机 构】
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四川大学物理系,四川大学物理系
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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1989年3期
【基金项目】
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四川省科委的资助
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