【摘 要】
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PN结深度是制备半导体器件的所需重要参数之一。要测量结深,通常须把结剖面显露出来;一般采用的化学染色法,对于很多半导体都是适用的,并已成功地用于PN结研究,但是很难显示
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PN结深度是制备半导体器件的所需重要参数之一。要测量结深,通常须把结剖面显露出来;一般采用的化学染色法,对于很多半导体都是适用的,并已成功地用于PN结研究,但是很难显示InSb的结剖面。IuSb晶片在KOH、NaOH等电解液中阳极氧化时,其氧化速率与样品掺杂浓度密切
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