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本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测试表明,器件具有高增益、高栅-漏击穿及低噪声特性。此外,文中还给出了与CX502N GaAs MESFET类似的器件CX503 GaAs MESFET的一些结果。
高增益.高栅—漏击穿,低噪声微波砷化镓场效应晶体管
【摘 要】
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本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测试表明,器件具有高增益、高栅-漏击穿及低噪
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1990年2期
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