电荷耦合器件抗γ总剂量辐射加固

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wudifeng20008
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文章从电荷耦合器件的基本工作原理出发,探讨了CCD地γ电离辐射效应,着重分析了表面损伤效应及其对CCD各结构的影响,提出了CCD抗γ总剂量辐射加固的结构设计途径及加固工艺。
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