【摘 要】
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基于GaAs衬底PHEMT工艺的新一代微波器件,具有截止频率高,增益大以及效率高的特点,该工艺更适合于微波频率的应用。采用WIN半导体公司的0.15μm PHEMT工艺设计了工作在29~31
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基于GaAs衬底PHEMT工艺的新一代微波器件,具有截止频率高,增益大以及效率高的特点,该工艺更适合于微波频率的应用。采用WIN半导体公司的0.15μm PHEMT工艺设计了工作在29~31 GHz Ka波段单片集成功率放大器,电路采用RC并联网络实现稳定性能,三级放大结构满足功率增益在30 GHz处为27 dB,输出1 dB压缩点功率为30 dBm,输入驻波比小于1.5,功率附加效率为35%。电路采用6 V电源供电,芯片面积为2.30 mm×1.23 mm。最后设计通过仿真,得出在30 GHz的时候,P1dB输出功率达到30.4 dBm,PAE为35%,输入驻波比为1.26,功率增益为27 dB左右。在整个频段里面稳定系数远大于1,整个电路利用RC并联稳定网络实现了无条件稳定,达到了设计的要求。
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