【摘 要】
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采用六联苯（p-6P）和氧钒酞菁（VOPc）作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管（OTFT）。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构（top-gate）和底栅结构（bottom-gate）两种器件构型,
【机 构】
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中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心
【基金项目】
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上海市科委科研项目(No.10dz1100300)
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采用六联苯（p-6P）和氧钒酞菁（VOPc）作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管（OTFT）。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构（top-gate）和底栅结构（bottom-gate）两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6cm2/V.s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因
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