S—GaAs表面键对砷化镓电性能的影响

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砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后,其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化,势垒电容变大。X射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少,砷的结合能由原来的1321.47eV变为1321.00eV,As(2P_(3/2))芯能级移位0.47eV。砷化镓表面形成S-As键,改善了表面费米能级的钉札,减少了表面态密度及表面复合中心。
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