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采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜（SEM）照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光（PL）谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线缺陷少，晶体质量高。场致电子发射测量表明，ZnO纳米线阵列开启电场和