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使用射频磁控溅射法在非晶态的二氧化硅衬底上制备Ce1YIG磁光薄膜.生成的Ce1YIG薄膜为非晶态形式,经过后续的热处理过程,转变为晶化薄膜,在用波长为630 nm的激光测量时,薄膜的饱和法拉弟旋转系数θF为800°/mm.晶化薄膜具有很强的平行于膜面的磁化强度,用VSM测得晶化薄膜的居里温度为220 ℃.实验结果表明:所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器.同时,这一方法为进一步研究非互易平面光波回路打下了基础.