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报道了用MBE方法生长掺In N型HgCdTe材料的研究结果.发现In作为N型施主在HgCdTe中的电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6 meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约3×1015cm-3水平.比较了高温退火前后In在HgCdTe中的扩散行为,得出在400 °C温度下In的扩散系数约为10-14cm2/sec,确认了In原子作为HgCdTe材料的N型掺杂剂的可用性和有效性.