【摘 要】
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采用三元共蒸发法制备CuInSe2薄膜,需要较精确的蒸发速率控制。对于电阻蒸发来讲,保持蒸发器电阻为恒定值,再通以恒定电流就可获得恒定功率,从而获得稳定的蒸发速率。本文根
【机 构】
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南开大学电子科学系,南开大学电子科学系天津300071,天津300071
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采用三元共蒸发法制备CuInSe2薄膜,需要较精确的蒸发速率控制。对于电阻蒸发来讲,保持蒸发器电阻为恒定值,再通以恒定电流就可获得恒定功率,从而获得稳定的蒸发速率。本文根据这一原则,通过改进钼舟,在普通的蒸发设备上较容易地实现了蒸发速率的控制。另外,为了更好地恒定蒸发速率,需要对源温进行监测,本文对源温的测量提出了新的见解。通过对CuInSe2膜的测量发现,在较高衬底温度下沉积的CuInSe2膜有较强的(112)结晶取向,同时发现不同的衬底材料对生成的CuInSe2膜有极大影响。
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