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采用高温固相法合成钒基荧光材料YVO4：Ga^3＋，其最佳掺杂浓度是2％，最宜煅烧温度为1100℃。用XRD，SEM以及荧光光谱等手段对所合成的荧光粉进行了表征，结果表明，样品在近紫外光254nm激发下，产生位于350～700nm的宽带发射峰。其中，镓离子浓度逐渐增加到2％时，样品的荧光发射主峰由440nm平移到470nm。