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考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用,计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化.结果表明,电子偶极矩改变随Al浓度的增加非线性减小.一般情况下激发态极化产生的电场强度远小于内建电场,可忽略不记,但当n取较大值(1019/cm3以上)时,即材料被重掺杂时,激发态极化产生的电场强度对内建电场的影响不能忽略.