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分析Submiron CMOS技术,使用双阱工艺,能够实现在高阻P型硅衬底上形成IC中各种元器件,并使之互连,实现所设计电路。采用芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片与制程结构。
亚微米CMOS芯片与制程剖面结构
【摘 要】
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分析Submiron CMOS技术,使用双阱工艺,能够实现在高阻P型硅衬底上形成IC中各种元器件,并使之互连,实现所设计电路。采用芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片与制
【机 构】
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上海贝岭股份有限公司,中国航天电子技术研究院第七七一研究所
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2019年03期
【基金项目】
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上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027)
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