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初步测定了L2钝铝和LC4铝合金微弧氧化陶瓷膜生长过程的电流效率。铝微弧氧化电流效率在10% ̄30%之间变化。相同实验条件下,LC4铝合金电流效率比纯铝高。陶瓷膜达到一定厚度后,电流效率随氧化时间延长而不断降低。要生长出1μm厚的膜,纯铝和LC4铝合金的耗电量分别约为0.13kWh/dm^2和0.1kWh/dm^2。