【摘 要】
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据《电子材料》(日)2009年第2期报道,日本Panasonic半导体公司(原松下电器子公司)开发了GaN技术的高耐压、低欧姆阻抗的结型功率二极管。这是一种在不降低耐压条件下,可降低
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据《电子材料》(日)2009年第2期报道,日本Panasonic半导体公司(原松下电器子公司)开发了GaN技术的高耐压、低欧姆阻抗的结型功率二极管。这是一种在不降低耐压条件下,可降低欧姆阻抗的低损功率器件。该结型二极管的耐压高达9400V,而欧姆阻抗仅为52mΩ/cm2。并首次验证了GaN材料
According to “Electronic Materials” (Japan) No. 2, 2009 reported that Japan’s Panasonic Semiconductor Corporation (former Matsushita Electric subsidiary) developed a high voltage GaN technology, low-impedance junction power diodes. This is a low loss power device that can reduce the ohmic resistance without reducing the withstand voltage. The junction diode withstand voltage up to 9400V, and the ohmic impedance is only 52mΩ / cm2. For the first time verified the GaN material
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