论文部分内容阅读
通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术,在抛光的单晶Si衬底上形成有超细金刚石纳米粉的引晶图案,并利用该图案与抛光Si处金刚石成核 密度的巨大差异,实验金刚石薄膜的高选择比生长。该方法具有工艺简单、沉积收效率高、选择比高、对底无任何损伤等优点。同时,这种方法很容易在不同衬底上金刚石薄膜的大面积选择性生长。