【摘 要】
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InGaAsSb/AlGaAsSb multi quantum well ridge waveguide lasers at 2.1μm wavelength are fabricated by using molecular beam epitaxy. Continuous wave performance and
【机 构】
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State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and
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InGaAsSb/AlGaAsSb multi quantum well ridge waveguide lasers at 2.1μm wavelength are fabricated by using molecular beam epitaxy. Continuous wave performance and tunability of the lasers are evaluated in a wide temperature range extend to 80℃. Output power of the laser at 30℃ exceeds 30 m W/facet at driving current of 0.5 A, the characteristic temperature T0 is 89 K in 0-50℃ range. No fast degradation is observed in accelerated aging test at 90℃ for those lasers with lower Al content in cladding layers. Temperature tunability of the lasers is 1.36 nm/K. Single-mode output with side mode suppression ratios greater than 20 dB is achieved in a certain driving current region; current-tunability is 8×10-3 nm/mA regardless of mode hopping.
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