【摘 要】
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We report on extra cavity frequency doubling lasers for 266 nm with a compact, tunable extended cavity diode laser (ECDL) at 1 064 nm. The ECDL injected into a tapered amplifier yields a power of 290 mW. In a first frequency-doubling stage, about 47-mW gr
【出 处】
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ChineseOpticsLetters
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We report on extra cavity frequency doubling lasers for 266 nm with a compact, tunable extended cavity diode laser (ECDL) at 1 064 nm. The ECDL injected into a tapered amplifier yields a power of 290 mW. In a first frequency-doubling stage, about 47-mW green light at 532 nm is generated. Subsequent second-harmonic generation (SHG) employing a BBO crystal leads to about 30 μW of ultraviolet (UV) light at 266 nm. The tunable characteristic of this UV light source is discussed. The tuning span of quasi-phase matching of doubling cavity for 532 nm with PPKTP crystal is achieved with –3.5 nm by changing the temperature of PPKTP and is achieved with –1.186 nm by adjusting angle of PPKTP.
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几年前，3 μm还是先进的电子集成电路块的最小特征尺寸。然而不久小型化进程就加速了。先是减小到2 μm,然后是1 μm。现在，先进产品的几何尺寸正在接近仅0.8 μm的特征 尺寸，已经开始迈向0.5 μm。
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