【摘 要】
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SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机(PMSM)驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1kW PMSM,对功率器件分
【机 构】
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江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京航空航天大学
【基金项目】
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教育部博士点基金项目资助(20123218120017);南京航空航天大学青年科技创新基金(理工类)项目资助(NS2015039);江苏高校优势学科建设工程资助项目
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SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机(PMSM)驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1kW PMSM,对功率器件分别采用Si IGBT和SiC MOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析。设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiC MOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能。
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