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重掺Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：allen75

【摘 要】

：

本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω<sub>1</s

【作 者】

：

徐谨民 邵丽影 

【机 构】

：

南开大学测试计算中心,南开大学测试计算中心

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年12期

【关键词】

：

Ⅲ-Ⅴ族化物 半导体 载流子 浓度 Ⅲ-Ⅴ Group Compound Carrier Concentration 

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本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω₁与ω₂之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs和Inp样品进行实验上的验证,获得了满意的结果.

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