【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射法在单晶硅上制备二氧化硅薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅里叶交换红外光谱仪(FTIR)等研究制备过程中氧含量和溅射功率对薄膜的
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采用直流反应磁控溅射法在单晶硅上制备二氧化硅薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅里叶交换红外光谱仪(FTIR)等研究制备过程中氧含量和溅射功率对薄膜的微结构、表面形貌以及红外吸收等性能的影响。结果表明,室温下溅射出的SiO2薄膜是非晶结构的;随着氧含量的增加,折射率、沉积速率、粗糙度都逐渐减小;沉积速率和粗糙度随着溅射功率的增加而增加;当氧气含量为40%时,薄膜的折射率接近二氧化硅的折射率(1.46)。退火后薄膜的压电常数随氧含量的增加先增大再减小,介电常数随着频率的增大而减小。
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