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综述了SiGe应变层的基本性质,包括SiGe应变层的临界厚度与超晶格的稳定性、带隙和能带变化、折射率增量以及等离子色散效应。总结了材料生长中释放应力的两种形式,包括位错和表面起伏。最后介绍了SiGe/Si应变量子阱光电探测器和红外焦平面阵列探测器的进展及其应用前景。
SiGe/Si异质结的基本特性及其探测器的应用前景
【摘 要】
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综述了SiGe应变层的基本性质,包括SiGe应变层的临界厚度与超晶格的稳定性、带隙和能带变化、折射率增量以及等离子色散效应。总结了材料生长中释放应力的两种形式,包括位错和
【机 构】
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太原科技大学应用科学学院
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2010年11期
【基金项目】
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山西省自然科学基金资助项目(2007011047)
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