Hitachi Cable将采用VAS法批量生产GaN衬底 陈裕权

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日本衬底与外延晶片制造商日立电缆(Hitachi Cable)公司计划批量生产蓝光激光二极管用GaN衬底。该公司正在茨城(Ibaraki)兴建一条2英寸GaN衬底生产线,初步打算每月生产300块衬底。日立公司采用了一种最新开发的叫作“辅助空隙分离”(Void—assisted separation)生长法,用这种生长方法可批量生产高均匀性GaN,且其晶体缺陷是采用其它方法生长 Japanese substrate and epitaxial wafer maker Hitachi Cable plans to mass produce GaN substrates for blue laser diodes. The company is building a 2-inch GaN substrate production line in Ibaraki, initially planning to produce 300 substrates per month. Hitachi has adopted a newly developed “Void-assisted separation” growth method that enables the mass production of high-uniformity GaN with its crystal defects grown by other methods
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