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描述了３毫米波段ＨＥＭＴ的发展及现状，介绍了低噪声和功率器件的关键技术，即最佳结构的ＭＢＥ材料、０．１μｍ栅长制造和测量技术。
3毫米波段HEMT
【摘 要】
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描述了３毫米波段ＨＥＭＴ的发展及现状，介绍了低噪声和功率器件的关键技术，即最佳结构的ＭＢＥ材料、０．１μｍ栅长制造和测量技术。
【机 构】
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石家庄电子部第１３研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1994年3期
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