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采用沉淀法制备In/ZnO纳米粉，通过XRD和光致发光谱等分析手段，详细讨论了不同In掺杂浓度、煅烧温度、反应物配比，以及沉淀剂种类对In/ZnO纳米粉微结构及光致发光特性的影响。实验结果表明，随着In掺杂浓度的增加，In/ZnO纳米粉的结晶性能和紫外发光强度因杂质缺陷的增多而逐渐减弱；同时观察到该发光峰位从389 nm红移至419 nm ，这可能是由于施主能级和导带的合并，以及杂质能级的潜在波动因素的影响所致。当煅烧温度从500℃升至600℃时，晶粒尺寸逐渐变大，紫外发射强度也因结晶性的增强而逐渐增大；