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研究了磁场下量子点中二电子系统的低激发态能谱,考察了电子-声子相互作用对能谱的影响.以InSb半导体材料为对象进行了数值计算,并将结果与他人的二维简化模型的结果进行了对比.发现在此三维系统中仍可出现自旋振荡现象,但能级随磁场的增大要比二维结果变化缓慢,且基态能级交替点向强磁场方有向明显移动.
磁场下量子点中二电子系统的自旋振荡
【摘 要】
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研究了磁场下量子点中二电子系统的低激发态能谱,考察了电子-声子相互作用对能谱的影响.以InSb半导体材料为对象进行了数值计算,并将结果与他人的二维简化模型的结果进行了对
【机 构】
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内蒙古大学物理学系
【出 处】
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内蒙古大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2002年2期
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