【摘 要】
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对TATB晶体进行DFr-B3LYP/6-31G**周期性计算研究,求得其能带结构和电子结构,探讨了结构-性能关系.从带隙约为4.1 eV推知TATB晶体的导电性处于半导体和绝缘体之间.计算所得升
【机 构】
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南京理工大学化学系,南京理工大学化学系,中国工程物理研究院化工材料研究所
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对TATB晶体进行DFr-B3LYP/6-31G**周期性计算研究,求得其能带结构和电子结构,探讨了结构-性能关系.从带隙约为4.1 eV推知TATB晶体的导电性处于半导体和绝缘体之间.计算所得升华热为136.25kJ@mol-1,与实验值良好相符.从原子间距和Müliken集居分析,发现TATB晶体中同一层分子之间存在氢键,而不同层之间距离较大,作用较弱.TATB分子中硝基氧带较多负电荷而氨基氢带较多正电荷,这使TATB很难成为电子受体和给体,故化学上很稳定.考察晶体中点电荷静电势,发现其在(
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